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- 提高工作溫度Tvj op
- 低開關損耗
- 低 VCEsat
- Tvj op = 150°C
- 4 kV 交流 1 分鐘絕緣
- 封裝的 CTI > 400
- 高爬電距離和電氣間隙
- 銅基板
- UL 認證
- 高功率密度
- 標準封裝
IGBT模塊FZ1200R12HE4P晶體管
FZ1200R12HE4PHPSA1
北京京誠宏泰科技有限公司供應IGBT模塊FZ1200R12HE4P晶體管
大功率單管IGBT模塊FZ1200R12HE4P
產品特征描述：
產品優勢：
IGBT 晶體管 PP IHM I XHP 1.2KV
IGBT 模塊 溝槽型場截止 單開關 1200 V 1200 A 底座安裝 模塊
IGBT 類型 溝槽型場截止
配置 單開關
電壓 - 集射極擊穿 1200 V
電流 - 集電極 (Ic) 1200 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on) 2.3V @ 15V，1200A
電流 - 集電極截止 5 mA
不同 Vce 時輸入電容 (Cies)195 nF @ 25 V
輸入 標準
NTC 熱敏電阻 無
工作溫度 -40°C ~ 150°C
安裝類型 底座安裝
封裝/模塊
供應商器件封裝 模塊
IGBT是什么？
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT與MOSFET的對比
MOSFET全稱功率場效應晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。
北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊FZ1200R12HE4P晶體管
優點：熱穩定性好、安全工作區大。
缺點：擊穿電壓低，工作電流小。
IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結合的產物。它的三個極分別是集電極（C）、發射極（E）和柵極（G）。
北京京誠宏泰科技有限公司銷售
IGBT模塊FZ1200R12HE4P晶體管
特點：
擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。
IGBT的典型應用
電動機
不間斷電源
太陽能面板安裝
電焊機
電源轉換器與反相器
電感充電器
電磁爐
FZ1800R17KF4
FZ1200R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2
FZ2400R17KF6C_B2
FZ1200R17KF4
FZ1200R17HE4
北京京誠宏泰科技有限公司
FZ1200R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B21
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4_B2
北京京誠宏泰科技有限公司
FZ2400R17HP4_B28
FZ2400R17HP4_B29
FZ3600R17HP4_B2
FZ1200R17HP4
FZ1600R17HP4
FZ1800R17HP4_B9
FZ2400R17HP4
北京京誠宏泰科技有限公司
FZ1200R17KE3_S1
FZ1200R17KF4
FZ3600R17KE3
FZ3600R17KE3_S1
FZ1800R16KF4
FZ2400R17KE3_B9
FZ2400R17KE3_B9_S1
FZ800R17KF6C_B2
FZ1600R17KF6C_B2_S1
FZ2400R17KE3_B2
北京京誠宏泰科技有限公司
FZ2400R17HP4_B9
FZ3600R17HP4
IGBT4 Fast (IHM B) 1)
FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9
FZ2400R17HE4_B9
FZ3600R17HE4
北京京誠宏泰科技有限公司供應IGBT模塊FZ1200R12HE4P晶體管
FZ1800R17HP4_ B9
FZ2400R17HP4_ B9
FZ2400R17HP4
FZ3600R17HP4
FD1000R33HE3-K
FZ1500R33HE3
北京京誠宏泰科技有限公司
FZ1500R33HE3
FZ1200R33HE3
FZ1000R33HE3
FZ1000R33HL3
FZ1500R33HL3
FZ1200R45HL3_S7
北京京誠宏泰科技有限公司供應IGBT模塊FZ1200R17HE4P晶體管
DD1200517H4_B2
DD800S17H4_B2
DD1000S33HE3
DD500S33HE3
DD1200S12H4
