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商品詳情
30V N溝道增強型MOSFET
30V N溝道增強型MOSFET
30V N溝道增強型MOSFET
描述
NP3400B采用先進的溝槽技術
提供出色的RDS(上)
?五世
低柵極電荷和高
超低導通電阻的密度單元設計。這
器件適合用作負載開關或用于PWM
應用程序。
一般特征
DS =30V，ID R =5A
DS(開)(典型值。)= 43mω@ VGS = 2.5V
RDS(開)(典型值。)= 31mω@ VGS
?高功率和電流處理能力
=4.5V
收購?無鉛產品
?表面貼裝封裝
應用
? PWM應用
?負荷開關
