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氧化硅拋光液(也稱膠態二氧化硅拋光液)是化學機械拋光(CMP)工藝中的核心耗材,核心作用是通過化學腐蝕與機械研磨的協同作用,實現材料表面納米級平坦化加工,確保拋光工件達到超光滑、低損傷的表面精度要求。
精準實現納米級平坦化,兼顧拋光效率與表面質量。
“納米級平坦化” 是行業核心要求,指通過拋光將材料表面粗糙度控制在納米級范圍,同時實現無劃痕、無麻點、無殘留的超凈表面,以實現:
二、銘衍海氧化硅拋光液 MYH-SOP40 產品特點
三、銘衍海氧化硅拋光液 MYH-SOP40 應用范圍
氧化硅拋光液主要用于各類精密材料與器件的化學機械拋光,核心作用是實現表面納米級平坦化、提升表面光潔度、降低加工損傷,適用產品如下:
一、半導體晶圓與襯底(核心應用)
單晶硅 / 多晶硅晶圓、碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)等化合物半導體襯底
半導體封裝基板、晶圓級封裝器件拋光
二、光學晶體與光學器件
藍寶石襯底(LED / 光學專用)、石英晶體、光學玻璃、鈮酸鋰(LN)/ 鉭酸鋰(LT)晶體
紅外光學晶體、光學鏡片 / 鏡頭、光纖連接器端面超精拋
四、其他精密加工領域
光纖跳線插芯、保偏光纖器件
精密金屬基片、微電子機械系統(MEMS)器件拋光
常見類型
專用精拋液:僅用于精拋 / 終拋工序,表面光潔度高,適配超高精度加工需求。
通用拋光液:兼顧中拋與精拋,適配多工序銜接,簡化加工流程、提升生產效率。
定制化拋光液:可根據客戶需求調整粒徑、固含量、pH 值,適配特殊材質 / 工藝拋光。
四、儲存與使用
溫度:5℃ ~ 35℃,防凍(<0℃易結塊失效)、防高溫(>35℃易破壞體系穩定性)、防曬。
使用前:輕微攪拌均勻,確保磨粒分散一致;可原液使用或按 1:1~1:5 比例用去離子水稀釋,稀釋后充分攪勻。
操作:避免與酸性物質接觸,防止體系變質;拋光后及時用純水清洗工件與設備,避免殘留。