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硅在常溫下性質穩定、紅外透明區寬、透明度好, 所形成的的硅薄膜質硬、紅外區折射率高, 是一種較為理想的紅外光學薄膜材料, 非晶硅作為一種高折射率材料, 因此非晶硅薄膜廣泛運用于紅外和激光技術中.
而影響非晶薄膜光學的主要工藝因素是沉積速率和基底溫度, 其次工作真空度的影響, 當沉積速率和基底溫度升高時, 薄膜的折射率先增大后減小, 當工作真空度升高時, 薄膜的折射率增大.
KRI 離子源用于輔助沉積非晶硅紅外光學薄膜
某國內光學薄膜制造商為了加快鍍膜沉積速率和獲得工作真空度, 并保持沉積速率和穩定真空度, 該制造通過與伯東工程師進行深入討論, 伯東工程師為其推薦美國 KRI射頻離子源 RFICP 380和分子泵 Hipace 700.
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 380 特性:
1. 大面積射頻離子源
2. 提供高密度離子束, 滿足高工藝需求
3. 采用射頻技術產生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長, 更適合時間長的工藝要求
4. 離子束流: >1500 mA
5. 離子動能: 100-1200 V
6. 中和器: LFN 2000
7. 采用自動控制器, 一鍵自動匹配
8. RF Generator 可根據工藝自行選擇離子濃度, EX: 1kW or 2kW
9. 離子源采用模塊化設計, 方便清潔/ 保養/ 維修/ 安裝
10. 柵極材質鉬和石墨, 堅固耐用
11. 通入氣體可選 Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, others
為了獲得更好的膜層, 離子源輔助鍍膜需要在真空環境下進行, 因此鍍膜腔體需要將真空度抽至8x10-5 Pa, 該光學薄膜制造商采用普發 Pfeiffer 分子泵 Hipace 700 對鍍膜腔體進行抽真空.
渦輪分子泵 Hipace 700產品優勢:
1.結構緊湊但功能強大的渦輪泵, 用于 N2 時的最高抽速可達 685 l/s
2.最佳真空性能, 最低功耗
3.集成的帶 Profibus 的驅動電子裝置 TC 400
4.可在任何方向安裝
5.帶有集成型水冷系統以保證最大氣體流量
6.通過 M12 插接頭的 Profibus 連接
7.廣泛的配件擴展使用范圍
用伯東美國 KRI 離子源用于輔助沉積非晶硅紅外光學薄膜, 其光學性能和機械性能均較優異, 增強其耐久性, 完全滿足一般紅外光學系統的要求, 且可以制備大面積均勻的膜層, 達到共贏生產規模.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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