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上海伯東代理美國考夫曼博士設立的考夫曼公司 KRI 射頻離子源 RFICP 40, 離子束可選聚焦/ 平行/ 散射.

KRI 射頻離子源 RFICP 40 屬于大面積射頻離子源, 離子束流: >100 mA; 離子動能: 100-1200 V; 中和器: LFN 2000; 流量 (Typical flow): 3-10 sccm.

采用射頻技術產生離子, 無需電離燈絲, 工藝時間更長.

離子源采用模塊化設計, 方便清潔/ 保養/ 維修/ 安裝.

適用于集成在小型的真空腔體內.

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 40 特性:

1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術提供高密度離子, 工藝時間更長.

2. 離子源結構模塊化設計, 使用更簡單; 基座可調節, 有效優化蝕刻率和均勻性.

3. 提供聚焦, 發散, 平行的離子束

4. 離子源自動調節技術保障柵極的使用壽命和可重復的工藝運行

5. 柵極材質鉬和石墨,堅固耐用

6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發射,確保電荷中性

KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術參數:

離子源型號	RFICP 40
Discharge	RFICP 射頻
離子束流	>100 mA
離子動能	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr
長度	12.7 cm
直徑	13.5 cm
中和器	LFN 2000

* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量

伯東KRI 射頻離子源 RFICP 40 應用領域：

1. 預清洗

2. 表面改性

3. 輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,

4. 濺鍍和蒸發鍍膜 PC

5. 離子濺射沉積和多層結構 IBSD

6. 離子蝕刻 IBE

若您需要進一步的了解詳細信息或討論,   請參考以下聯絡方式:

上海伯東: 羅先生                               臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
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