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KRI 射頻離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源, 非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中，射頻離子源 RFICP 140 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 就標(biāo)準(zhǔn)的型號(hào)而言, 可以在離子能量為 100~1200 eV 范圍內(nèi)獲得很高的離子密度. 可以輸出最大 600 mA 離子流.
KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術(shù)參數(shù):
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陽(yáng)極 |
電感耦合等離子體 |
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最大陽(yáng)極功率 |
1kW |
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最大離子束流 |
> 500mA |
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電壓范圍 |
100-1200V |
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離子束動(dòng)能 |
100-1200eV |
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氣體 |
Ar, O2, N2,其他 |
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流量 |
5-40sccm |
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壓力 |
< 0.5mTorr |
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離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn) |
OptiBeamTM |
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離子束柵極 |
14cm Φ |
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柵極材質(zhì) |
鉬, 石墨 |
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離子束流形狀 |
平行,聚焦,散射 |
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中和器 |
LFN 2000 |
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高度 |
25.1 cm |
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直徑 |
24.6 cm |
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鎖緊安裝法蘭 |
12”CF |
KRI 射頻離子源 RFICP 140 應(yīng)用領(lǐng)域：
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.
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