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某半導(dǎo)體廠商為了提高紅外器件 ZnS 薄膜厚度均勻性, 采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射沉積設(shè)備鍍制紅外器件 ZnS 薄膜, 并采用動(dòng)態(tài)沉積的方法--樣品臺(tái)離心旋轉(zhuǎn)的方式, 補(bǔ)償或改善圓形磁控靶在正對(duì)的基片上沿徑向的濺射沉積不均勻分布.
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術(shù)參數(shù):
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射頻離子源型號(hào) |
RFICP380 |
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Discharge 陽(yáng)極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長(zhǎng)度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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紅外器件金屬膜需要高均勻性的原因:
紅外器件幾乎都要進(jìn)行表面鈍化和鍍制金屬膜, 在紅外焦平面和讀出電路的互連工藝中, 金屬膜的厚度均勻性對(duì)于互連工藝的可靠性起著至關(guān)重要的作用, 而在背照式紅外探測(cè)器的光接收面, 往往都要涂鍍一層或數(shù)層介質(zhì)膜, 以起到對(duì)器件進(jìn)行保護(hù)和對(duì)紅外輻射減反射的作用, 介質(zhì)膜的厚度均勻性同樣會(huì)影響探測(cè)器的濾光和接收帶寬
KRI 離子源的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.
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