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某半導體公司為了去除晶圓反應表面產生的反應產物, 進而提高反應效率, 同時提高晶圓的均勻度, 采用 Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 用于半導體晶圓刻蝕.
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 產品圖如上圖, 其主要構件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 技術參數(shù)如下:
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Ф4 inch X 6片 |
基板尺寸 |
< Ф3 inch X 8片 |
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樣品臺 |
樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉 |
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離子源 |
20cm 考夫曼離子源 |
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均勻性 |
±5% for 8”Ф |
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硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
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溫度 |
<100 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術參數(shù):
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離子源型號 |
RFICP 220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 的樣品臺可以 0-90 度旋轉, 實現(xiàn)晶圓反應面均勻地接受離子的轟擊, 進而實現(xiàn)提高晶圓的加工質量.
運用結果：
1. 有效去除晶圓反應表面產生的反應產物, 進而提高反應效率
2. 晶圓的均勻度得到良好提高
3. 晶圓的加工質量得到明顯提高
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