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鍍膜技術(shù) IAC 是利用沉積原子和轟擊離子之間一系列的物理化學(xué)作用, 可在常溫下合成各種優(yōu)質(zhì)薄膜. 其關(guān)鍵技術(shù)是離子源、靶室和工藝參數(shù)的控制.
離子源是產(chǎn)生所需離子的關(guān)鍵部件, 它的種類與質(zhì)量決定著制備膜層的性能和質(zhì)量. KRI 考夫曼離子源, 它能產(chǎn)生氣體元素的大面積離子束, 適合用于離子束濺射鍍膜、對(duì)膜層進(jìn)行離子束轟擊以及對(duì)工件進(jìn)行離子束表面清洗.
伯東為客戶提供柵極離子源和無柵離子源, 客戶可根據(jù)自己的工藝需求, 選擇不同的離子源.
伯東 KRI 離子源有:
KRI 射頻離子源 RFICP 系列： RFICP 380、RFICP 220、RFICP 140 、RFICP 100、 RFICP 40
KRI 考夫曼離子源 Gridded KDC 系列： KDC 160、KDC 100、KDC 75、KDC 40、KDC 10
KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列:eH 3000、eH 2000、eH 1000、eH 400、eH Linear
靶室
靶室是裝載工件, 進(jìn)行離子束表面處理的部件, 它的容積大小、靶的工件夾具機(jī)構(gòu)及其運(yùn)動(dòng)方式, 隨工件種類的不同, 差異很大.
工藝參數(shù)控制
精確控制工藝參數(shù), 保證工件表面的沉積原子數(shù)與轟擊原子數(shù)達(dá)到一定的比例, 對(duì)膜層的性能和質(zhì)量至關(guān)重要.
KRI 離子源在創(chuàng)新設(shè)計(jì), 產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)專長方面享譽(yù)全球. 這些離子源可輸出高質(zhì)量和穩(wěn)定的離子束, 通過控制器可以實(shí)現(xiàn)精確控制, 以提供確定的形狀, 電流密度和離子能量.
實(shí)際應(yīng)用證明, 離子源用在鍍膜技術(shù) IAC可制備出結(jié)合力很強(qiáng)的具有各種特殊的膜層, 如ZrN、ZrC、BN、TiO2和類金剛石碳膜等.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質(zhì)譜儀, 真空計(jì), 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測(cè)試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.
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