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- SiO_2薄膜沉積速率比以前更加快速
- 薄膜均勻性明顯提高
- 成膜質量高、膜層致密、缺陷少
二氧化硅 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、絕緣性好等優點常作為絕緣層材料在薄膜傳感器生產中得到廣泛應用. 某光學薄膜制造商為了獲得高品質的 SiO_2薄膜引進伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380輔助離子束濺射鍍制SiO_2薄膜.
該制造商的離子束濺射鍍膜組成系統主要由濺射室、雙離子源、濺射靶、基片臺、真空氣路系統以及控制系統等部分組成.
離子源濺射離子源采用進口的 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380, 其參數如下:
伯東 KRI 聚焦型射頻離子源 RFICP 380 技術參數：
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射頻離子源型號 |
RFICP 380 |
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Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
推薦理由：
1. 聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率
2. 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
其真空氣路系統真空系統需要沉積前本底真空抽到 8×10-4 Pa, 經推薦采用伯東泵組 Hicube 80 Pro, 其技術參數如下：
分子泵組 Hicube 80 Pro 技術參數:
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進氣法蘭 |
氮氣抽速 |
極限真空 hpa |
前級泵 型號 |
前級泵抽速 |
前級真空 |
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DN 40 ISO-KF |
35 |
< 1X10-7 |
Pascal 2021 |
18 |
AVC 025 MA |
運行結果：
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品牌的指定代理商.
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