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在各種真空沉積過程中, 薄膜被沉積在基底上. 這種沉積膜的性能取決于沉積膜基底表面的清潔度. 這種表面的污染會(huì)導(dǎo)致薄膜與基底的粘附力降低, 沉積后薄膜的降解速度更快, 導(dǎo)電薄膜的接觸電阻更大, 光學(xué)薄膜的光學(xué)質(zhì)量較差.
即使小心處理, 表面污染形式為吸附水蒸氣和各種碳?xì)浠衔锸怯捎谠诔练e前暴露在實(shí)驗(yàn)室大氣中造成的. 這種暴露也會(huì)導(dǎo)致在反應(yīng)基底材料上形成天然氧化層. 為了去除這種表面污染, 當(dāng)系統(tǒng)達(dá)到一定真空度, 為了使基片表面得到更致密的膜, 沉積薄膜之前, 對基底進(jìn)行原位清洗非常有必要.
離子源通過加熱燈絲產(chǎn)生離子束, 低濃度高能量寬束型離子源利用柵極控制離子束的濃度和方向, 離子束可選集中, 平行, 散設(shè).
較低的背景壓力是離子束清洗的主要優(yōu)點(diǎn), 通常在10-4Torr范圍內(nèi), 分子的平均自由程比較長, 較長的路徑極大地增加了污染物從基底表面去除后, 又返回到真空室的可能性. 提高系統(tǒng)的真空度, 保證較低的背景壓力會(huì)最大限度地減少清洗和沉積步驟之間可能積聚的新污染. 經(jīng)驗(yàn)法則是, 在10-6torr的污染背景壓力下, 污染可以在1秒內(nèi)累積. 重要的是污染物的背景壓力才是最重要的.
KRI 考夫曼離子源 Gridded KDC 系列, 柵極燈絲型離子源, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 提供低電流高能量離子束. 離子束可選聚焦,平行, 散設(shè)三種方式, KDC 系列離子源適用于離子濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC, 輔助鍍膜 ( 光學(xué)鍍膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD, 離子蝕刻 IBE 等.
網(wǎng)格離子源和無網(wǎng)格離子源都被用來產(chǎn)生用于原位清洗的離子束. 柵網(wǎng)離子源可以更好地控制離子束的覆蓋范圍, 無柵網(wǎng)（霍爾源）在最常用于清潔的低能離子束方面更具成本效益.
伯東KRI離子源在E-beam設(shè)備上的薄膜預(yù)清洗
離子源預(yù)清洗案例一: 國內(nèi)某高校使用KRI 考夫曼離子源KDC40用于基片的預(yù)清洗來做表面改性, 有助于提高后續(xù)PVD鍍膜的均勻性和提高薄膜的附著力.
上海伯東是美國 考夫曼離子源在中國的總代理商.
上海伯東是德國 Pfeiffer 真空設(shè)備, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口知名品牌的指定代理商.
我們真誠期待與您的合作！
