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商品詳情
| 產品參數 | |||
|---|---|---|---|
| 全新現貨 TZ800N16KOF/TZ740N22KOF可控硅 晶閘管模塊 品牌 | Infineon英飛凌 | ||
| 最小包裝量 | 盒裝 | ||
| 可控硅類型 | IGBT 模塊 | ||
| 產品種類 | IGBT 模塊 | ||
| 集電極—發射極最大電壓 VCEO | 1200 V | ||
| 集電極—射極飽和電壓 | 2.05 V | ||
| 在25 C的連續集電極電流 | 900 A | ||
| 柵極—射極漏泄電流 | 400 nA | ||
| Pd-功率耗散 | 5.1 kW | ||
| 最小工作溫度 | - 40 C | ||
| 最大工作溫度 | 150 C | ||
| 封裝 | Tray | ||
| 商標 | Infineon Technologies | ||
| 柵極/發射極最大電壓 | 20 V | ||
| 安裝風格 | Chassis Mount | ||
| 產品類型 | IGBT Modules | ||
| 系列 | Trenchstop IGBT4 - E4 | ||
| 子類別 | IGBTs | ||
| 零件號別名 | SP000614712 FF900R12IE4BOSA1 | ||
| 數量 | 2388 | ||
| 批號 | 最新批號 | ||
| 可售賣地 | 北京;天津;河北;山西;內蒙古;遼寧;吉林;黑龍江;上海;江蘇;浙江;安徽;福建;江西;山東;河南;湖北;湖南;廣東;廣西;海南;重慶;四川;貴州;云南;西藏;陜西;甘肅;青海;寧夏;新疆 | ||
| 型號 | TZ800N16KOF | ||
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