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商品詳情
鉻-硅粉末冶金作業和它受力工效解析
實驗許多金屬硅化物本研究以應用較為廣泛的商用Cr-Si材料，分別按m（Cr）∶m（Si）=35∶65及m（Cr）∶m（Si）=50∶50兩種質量比例配成原始粉末，采用傳統粉末冶金工藝―球磨混合、壓坯、真空燒結后觀察其致密性，然后再利用熱等靜壓處理以進一步提高靶材的性能<1419>；另一方面，將相同原始粉末按不同制備工藝制備的兩種材料逐步地進行各項測試與比較。歡迎光臨公司官網http://www.yihuokeji.com
按照傳統粉末冶金法，利用球磨將Cr-Si粉末混合后，再以油壓機壓制成形，最后用冷等靜壓（CIP）增加生坯的密度。將壓好的生坯在真空下進行燒結，得到Cr-Si合金試片。依據Cr-Si相圖以及相關文獻<2022>，選定Cr35-Si65的燒結溫度為1300、1320與1340℃，而Cr50-Si50的燒結溫度依次提高到1400、1410與1420℃。升溫時分別在250℃與850℃保溫1h，再行升溫至燒結溫度保溫1h，期間升溫速率皆為10℃／min.燒結升溫曲線如所示。在真空燒結后，利用對材孔隙率、晶體料結構、電阻特性與顯微組織的測量與觀察，探討燒結溫度對Cr-Si材性能的影料響。
孔隙率測試是按照ASTMC373規范，先將試片放在烘箱之中至少烘干12h以上來測量干質量（md），再將其置入水中煮沸5h以將試片開孔內的氣體逼出，最后將其靜置24h以利水滲入試片的孔隙內。測量其含飽和水的質量（mw）與懸浮質量（ms），即可計算孔隙率：P=（mwmd）/（mwms）×100%.
結果與討論孔隙率所示為坯體經過燒結后的孔隙率變化圖。從圖中發現：不論Cr35-Si65或者Cr50-Si50，兩者的孔隙率皆隨著燒結溫度提高而顯著下降。尤其是Cr35-Si65，在溫度提高到1340℃時孔隙率有非常明顯的下降，從而使致密度提高；而Cr50-Si50的孔隙率，則會在1410℃時有明顯的轉折。根據相圖分析，這2個轉折點的產生都是因為坯體開始有液相燒結產生所致，這使孔隙被有效填充，并進一步使得坯體可能有部分熔化。此時，坯體的收縮也相當可觀，所以在制作大尺寸坯體的時候，需要做相當程度的尺寸預，方能得到孔隙率留較低的成品。
實驗許多金屬硅化物本研究以應用較為廣泛的商用Cr-Si材料，分別按m（Cr）∶m（Si）=35∶65及m（Cr）∶m（Si）=50∶50兩種質量比例配成原始粉末，采用傳統粉末冶金工藝―球磨混合、壓坯、真空燒結后觀察其致密性，然后再利用熱等靜壓處理以進一步提高靶材的性能<1419>；另一方面，將相同原始粉末按不同制備工藝制備的兩種材料逐步地進行各項測試與比較。歡迎光臨公司官網http://www.yihuokeji.com
按照傳統粉末冶金法，利用球磨將Cr-Si粉末混合后，再以油壓機壓制成形，最后用冷等靜壓（CIP）增加生坯的密度。將壓好的生坯在真空下進行燒結，得到Cr-Si合金試片。依據Cr-Si相圖以及相關文獻<2022>，選定Cr35-Si65的燒結溫度為1300、1320與1340℃，而Cr50-Si50的燒結溫度依次提高到1400、1410與1420℃。升溫時分別在250℃與850℃保溫1h，再行升溫至燒結溫度保溫1h，期間升溫速率皆為10℃／min.燒結升溫曲線如所示。在真空燒結后，利用對材孔隙率、晶體料結構、電阻特性與顯微組織的測量與觀察，探討燒結溫度對Cr-Si材性能的影料響。
孔隙率測試是按照ASTMC373規范，先將試片放在烘箱之中至少烘干12h以上來測量干質量（md），再將其置入水中煮沸5h以將試片開孔內的氣體逼出，最后將其靜置24h以利水滲入試片的孔隙內。測量其含飽和水的質量（mw）與懸浮質量（ms），即可計算孔隙率：P=（mwmd）/（mwms）×100%.
結果與討論孔隙率所示為坯體經過燒結后的孔隙率變化圖。從圖中發現：不論Cr35-Si65或者Cr50-Si50，兩者的孔隙率皆隨著燒結溫度提高而顯著下降。尤其是Cr35-Si65，在溫度提高到1340℃時孔隙率有非常明顯的下降，從而使致密度提高；而Cr50-Si50的孔隙率，則會在1410℃時有明顯的轉折。根據相圖分析，這2個轉折點的產生都是因為坯體開始有液相燒結產生所致，這使孔隙被有效填充，并進一步使得坯體可能有部分熔化。此時，坯體的收縮也相當可觀，所以在制作大尺寸坯體的時候，需要做相當程度的尺寸預，方能得到孔隙率留較低的成品。
