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熒光物質使用，在第二次世界大戰期間首次制造出高純氧化鈹陶瓷。1946年了解到氧化鈹具有極高的導熱系數。并且當時主要用在原子核裝置中。直到50年代中期，氧化鈹在電子學、測量儀器、通信和航天技術中出現應用。
氧化鈹的熔化溫度范圍為2530℃~2570℃，其理論密度為3.02g/BeO作為絕緣材料始于1928年，不過直到1930年為止，BeO主要是混以其他材料作為㎝3，在真空中可在1800℃下長期使用，在惰性氣體中可在2000℃下使用，在氧化氣氛中1800℃才揮發。氧化鈹陶瓷的最突出性能是導熱系數大，與金屬鋁相近，是氧化鋁6~10倍，是一種具有獨特的電的、熱的和機械性能的介質材料，沒有其他任何材料顯示出這樣全面的綜合性能。氧化鈹與其他絕緣材料性能對比列于表1。
氧化鈹陶瓷因其具有高導熱系數、高熔度、強度、高絕緣、低電介常數、低介質損耗以及良好的封裝工藝適應性等特點，在微波技術、電真空技術、核技術、微電子與光電子技術領域受到重視和應用，尤其是在大功率半導體器件、大功率集成電路、大功率微波真空器件及核反應堆中。