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商品詳情
- SiC / GaN相關晶圓表面檢測設備。
雙頭SiC表面粒子掃描儀- 新開發的SiC表面顆粒掃描儀可防止未發現的SiC潛在劃痕。
采取措施，不漏掉傳統表面顆粒檢查設備無法檢測到的SiC表面潛伏期。
通過將雙傳感器安裝在可以檢查透明基板的YPI-MX上，可以進行測量而不會發現微小的劃痕缺陷。
通過在兩個正交軸上布置355 nm（UV）激光器和光接收傳感器，可以消除微小劃痕缺陷的方向依賴性，
并在不忽略SiC襯底的情況下檢測劃痕缺陷和潛在劃痕。
在5分鐘內測量4英寸SiC晶片，包括等待時間檢測測量。
設備中雙傳感器測量結果的圖像
- 不僅可以測量SiC，還可以測量透明玻璃晶片，硅晶片和LT晶片。
最小檢測粒徑為0.1μm。
LT晶片測量結果示例
如果是4英寸LT晶片，則可以在大約2分鐘內進行測量。
關于大功率激光控制
- 配備有YPI-MX-DC的大功率激光輸出通過我們的控制系統（自動功率控制）控制
為恒定，從而可以實現更精確的異物檢測。 - 新開發的SiC表面顆粒掃描儀可防止未發現的SiC潛在劃痕。
- 掃描方式激光側散射法，雙頭傳感器
- 工作安裝手動/自動輸送機
- 能量消耗AC100V / 200V 30A
- 最小檢測粒徑0.1微米
- 重現性σ/ X≦10％
- 測量時間2分鐘內放入4英寸晶圓
- 待檢查的基材SiC /各種透明玻璃基板/ Si晶片，LT晶片，具有
各種膜的晶片等- 設備外形尺寸W900mm x D1,000mm x H1,757mm（手動）
W1,530mm x D1,200mm x H1,715mm（自動傳送帶）- 體重約500公斤（手動）/約1000公斤（自動傳送帶）
- 工作安裝手動/自動輸送機
日本ygkcop雙頭SiC表面粒子掃描儀
YPI-MX-ΘDC SiC / GaN相關，Si /透明/ LT晶片表面異物檢查設備
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