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霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 ezHEMS
上海伯東英國(guó) NanoMagnetics 儀器 ezHEMS 霍爾效應(yīng)測(cè)試儀為 Van der Pauw 和 Hall Bar 測(cè)量提供了一個(gè)創(chuàng)新的解決方案. ezHEMS 霍爾效應(yīng)測(cè)量獨(dú)特的設(shè)計(jì)使得用戶能夠以最高分辨率和精度測(cè)量 80K 到500K 之間的樣品, 所有的磁鐵移動(dòng)和溫度變化都可以自動(dòng)完成而不會(huì)改變組件.
ezHEMS? 霍爾效應(yīng)測(cè)試儀軟件支持不同測(cè)量數(shù)據(jù)記錄和繪圖: I-V 曲線, 電阻, 電阻率, 薄層電阻, 磁阻, 載流子濃度, 霍爾遷移率, 霍爾系數(shù)作為溫度的函數(shù)

霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 ezHEMS 主要特點(diǎn)
恒電流源 ( 2nA ~ 20mA ) 采用六級(jí)電流范圍設(shè)置, 將可以接收的誤差降到最低; 范德堡法則轉(zhuǎn)換使用非接觸裝置有效降低儀器噪聲, 具有可靠的精度及重現(xiàn)性.
具有常溫, 液氮低溫, 以及高溫測(cè)量系統(tǒng) ( 80 ~ 800K )
恒定磁場(chǎng)( 0.6T )
不同尺寸不同材料的薄膜樣品更容易測(cè)量
測(cè)試速率快, 可同時(shí)測(cè)量得到體載流子濃度 ( Bulk carrier concentration ), 表面載流子濃度 ( Sheet carrier concentration ), 遷移率 ( Mobility ), 電阻率 ( Resistivity ), 霍爾系數(shù) ( Hall coefficient ), 磁致電阻 ( Magnetoresistance ), 電阻的縱橫比率( Vertical / Horizontal ratio of resistance ) 等參數(shù).
霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 ezHEMS 技術(shù)參數(shù)
電阻率: 10^-4 至 10⁹ Ω-cm ( 樣本依賴 )
遷移率: 1 至 10⁷ cm2 / Volt-sec ( 樣本依賴 )
載流子濃度: 10e⁷ 至 10²¹ per cm-3 ( 樣本依賴 )
輸入電流: ±2 nA 至 ±20 mA, ±12 V compliance
最小霍爾電壓測(cè)量: 0.1 μV
支持 Van der Pauw 和 Hall bar 成形試樣
磁場(chǎng)強(qiáng)度: 0.6 Tesla 或 1 Tesla 永久磁鐵
溫度范圍 80-750K, 分辨率 ±0.2 K, 單一系統(tǒng)的整個(gè)溫度范圍
可選更高的范圍
Pt-100 電阻溫度計(jì), 750K 加熱器, PID 溫控器
通過 USB 接口進(jìn)行電腦控制
樣品尺寸從 5x5 mm 至 15 mm x 15 mm, 適用樣品厚度 < 2 mm
樣品測(cè)量板: 彈簧樣品板
ezHEMS 軟件控制磁鐵運(yùn)動(dòng)
霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 ezHEMS 應(yīng)用領(lǐng)域
上海伯東英國(guó) NanoMagnetics 儀器霍爾效應(yīng)測(cè)試儀 ezHEMS 可廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性表征, 精確測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度, 遷移率, 電阻率, 霍爾系數(shù)等重要參數(shù).
測(cè)量材料: Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO ( including ITO ), AlZnO, FeCdTe, ZnO 等所有半導(dǎo)體薄膜
材料導(dǎo)電類型判斷 (P 型和 N 型 )
材料載流子濃度, 遷移率, 方塊電阻等參數(shù)測(cè)量
材料摻雜雜質(zhì)激活能測(cè)量