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產(chǎn)品型號：

BTF-1200C-PECVD

實(shí)驗(yàn)機(jī)理：

PECVD是借助于輝光放電等方法產(chǎn)生等離子體，輝光放電等離子體中：電子密度高109-1012cm³電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出10-100倍，使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術(shù)。通過反應(yīng)氣態(tài)放電，有效地利用了非平衡等離子體的反應(yīng)特征，從根本上改變了反應(yīng)體系的能量供給方式低溫?zé)岬入x子體化學(xué)氣相沉積法具有氣相法的所有優(yōu)點(diǎn)，工藝流程簡單。

技術(shù)參數(shù)：

加熱區(qū)參數(shù)

反應(yīng)腔體尺寸：Φ50，Φ60，Φ80，Φ100
加熱元件：電阻絲（Fe-Cr-Al Alloy doped by Mo）

加熱區(qū)長度：440mm

恒溫區(qū)長度：200mm（±1℃）

工作溫度：1100℃

最高溫度：1200℃

控溫方式：模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報(bào)警功能

控溫精度：±1℃

升溫速率：20℃/min

爐門結(jié)構(gòu)：開啟式

工作電源：AC220V /50HZ

額定功率：3KW

真空參數(shù)

采用KF25系列波紋管和手動擋板閥；

真空度可達(dá)10^-3torr；

數(shù)顯真空測試儀可直觀的顯示數(shù)值。

流量控制參數(shù)

內(nèi)部裝有高精度質(zhì)量流量計(jì)可準(zhǔn)確的控制氣體流量；

氣體流量范圍可選，誤差為±1.5%；

一個(gè)氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥；

不銹鋼針閥安裝在左側(cè)可手動控制混合氣體輸入。

射頻電源與匹配器

電源：單相50/60Hz 220v±10%

加熱（功率）電源：2.5KW，25A

控制柜電源空氣開關(guān)：32A空氣開關(guān) 

薄膜生長室溫度：室溫~ 1200℃

射頻頻率：13.56MHz

射頻功率輸出范圍：5~500W

細(xì)節(jié)展示：

 

外型尺寸：

爐體：940×380×520mm

供氣及真空系統(tǒng)：600×600×600mm

凈重：

130Kg

認(rèn)證和專利：

專利號：ZL201320052532.0  （專利產(chǎn)品，防偽必究）