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雙向可控硅導通后,通態電流仍從T1流向T2。這種觸發就叫做Ⅲ-觸發。雙向可控硅雖然有以上四種觸發,但由于負觸發所需要的觸發電壓和電流都比較小。工作比較可靠,因此在實際使用時,負觸發應用較多。特性編輯常用的有阻容移相橋觸發電路、單結晶體管觸發電路、晶體三極管觸發電路、利用小晶閘管觸發大晶閘管的觸發電路,等等。可控硅的主要參數有:額定通態平均電流IT在一定條件下,陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。正向峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發,陽極正向電壓還未超過導能電壓時,可以重復加在可控硅兩端的正向峰值電壓?煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯,不能超過手冊給出的這個參數值。對于較大的顆粒(顆粒), 以及在氣體速度較高的情況下, 慣性壓擊機制是十分重要的顆粒收集手段。
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