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SPI（串行外圍接口）NAND閃存基于行業標準的NAND閃存核心，為嵌入式系統提供了一種超經濟高效的高密度非易失性存儲器存儲解決方案。它是SPI-NOR和標準并行NAND閃存的有吸引力的替代品，具有高級功能：

1、總引腳數為8，包括VCC和GND

2、密度4Gb

3、優于SPI-NOR的寫入性能和每比特成本

4、比并行NAND成本低得多

這種低引腳數NAND閃存遵循行業標準的串行外圍接口，從一個密度到另一個密度始終保持相同的引腳輸出。命令集類似于常見的SPI-NOR命令集，經過修改以處理NAND特定的功能并添加了新功能。GigaDevice SPI NAND是一款易于集成的NAND閃存，具有特定的設計功能，便于主機管理：

1、用戶可選擇的內部ECC。ECC奇偶校驗在頁面編程操作期間在內部生成。當頁面被讀取到緩存寄存器時，檢測ECC奇偶校驗，并在必要時糾正錯誤。設備輸出校正數據并返回ECC錯誤狀態。

2、使用內部ECC移動或復制內部數據。該設備可以輕松地刷新和管理垃圾收集任務，而無需移入和移出數據。此命令字符串只能用于具有相同奇偶校驗屬性的塊。

3、通電讀取，內部ECC。開機后，設備會自動將第一個區塊的第一頁讀取到緩存中，然后主機可以直接從緩存中讀取數據，以方便啟動。當啟用ECC時，內部ECC也保證數據正確。

它在基于頁面的操作中編程和讀取，在基于塊的操作中擦除。數據被逐頁地傳送到數據寄存器和高速緩存寄存器，或從NAND閃存陣列傳送數據。高速緩存寄存器最接近I/O控制電路，并充當I/O數據的數據緩沖器；數據寄存器最接近存儲器陣列，并且充當NAND閃存陣列操作的數據緩沖器。高速緩存寄存器用作緩沖存儲器，以啟用頁面和隨機數據讀/寫和復制回操作。這些設備還使用SPI狀態寄存器來報告設備操作狀態。

功能特征

1、 4Gb SLC NAND閃存

2、 頁面大小

（1） 內部ECC開啟（ECC_EN=1，默認值）：

頁面大小：2048字節+64字節

（2） 內部ECC關閉（ECC_EN=0）：

頁面大小：2048字節+128字節

3、 標準、雙、四SPI、DTR

（1） 標準SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#

（2） -雙SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、WP#、HOLD#

（3） 四路SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3

（4） DTR（雙傳輸速率）讀取：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3

4、 高速時鐘頻率

（1） 3.3V:104MHz，用于30pF負載的快速讀取

（2） 1.8V:80MHz，用于30pF負載的快速讀取

（3） 3.3V：四路I/O數據傳輸高達416Mbit/s

（4） 1.8V：四路I/O數據傳輸敢達320Mbit/s

5、 軟件/硬件寫入保護

（1） 通過軟件對所有/部分內存進行寫保護

（2） 使用WP#引腳注冊保護

6、 單電源電壓

（1） 1.8V的全電壓范圍：1.7V~2.0V

（2） 3.3V的全電壓范圍：2.7V~3.6V

7、 高級安全功能

（1） 8K字節OTP區域

8、 編程/擦除/讀取速度

（1） 頁面程序時間：典型300us

（2） 塊擦除時間：典型3ms

（3） 頁面讀取時間：最大60us

9、 低功耗

（1） 30mA最大有功電流

（2） 85℃時最大待機電流為50uA

10、 增強的訪問性能

（1） 用于快速隨機讀取的2Kbyte緩存

（2） 緩存讀取和緩存程序

11、 NAND的高級功能

（1） 工廠良好區塊0

12、 可靠性

（1） 帶ECC的P/E周期：100K

（2） 數據保留期：10年

13、 內部ECC

（1） 4位/528字節