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商品詳情
4英寸碳化硅基氮化鎵外延片生產廠家 GaN On SiC
蘇州恒邁瑞材料科技生產供應碳化硅基氮化鎵外延片RF HMET結構應用于微波電子器件，產品尺寸為4英寸和6英寸，碳化硅襯底為4H-SiC晶型，襯底厚度500um。氮化鎵緩沖層厚度1.8um，氮化鋁間隔層1nm。結構為SiC Substrate/AlN Buffer/Fe doped GaN buffer/GaN channel/1nm AlN interlayer/AlGaN/(In)AlN barrier/GaN cap/ w/o SiNx cap.
第三代半導體材料GaN由于具有眾多優異的物理特性，非常適合制備高溫、高頻、大功率電子器件，具有很好的應用前景。
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