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商品詳情
4寸硅基氮化鎵外延片廠家 HEMT RF應用
蘇州恒邁瑞材料科技有限公司生產的硅基氮化鎵外延片可用于650V電子電力HEMT及RF射頻高電子遷移率晶體管.目前我司硅基氮化鎵外延片結構可分為D-MODE耗盡型HMET結構 ，E-MODE增強型HEMT結構，以及RF HEMT結構，部分結構參數可根據客戶設計需求定制。
Si Substrate/AlN/(Al,Ga)N buffer/GaNchannel/AlGaNbarrier/0-5 nm GaN/SiNxcap.硅襯底厚度675um 1000um 1500um
GaN氮化鎵材料大的禁帶寬度，使得其制備的功率器件可以在沒有復雜設計的散熱裝置的輔助下正常工作，這樣可以大幅降低電力電子設備的體積和成本。又因為擊穿電場強度與能帶的平方成正相關，GaN氮化鎵材料的擊穿電壓理論上可達到大于3 MV/cm的水平，遠大于Si和GaAs。此外，GaN材料同時還擁有非常卓越的電子傳輸特性，其中包括更高的遷移率，更大的飽和漂移速度。這些使其非常適合用于制作功率電子器件。
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