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特征
?PC100和PC133兼容
?完全同步；所有信號均呈陽性
系統時鐘邊緣
?內部流水線操作；列地址可以
每個時鐘周期都會改變
?用于隱藏行訪問/預充電的內部銀行
?可編程突發長度（BL）：1、2、4、8或全部
頁
?自動預充電，包括同時自動預充電
和自動刷新模式
?自動刷新模式；標準和低功耗
–64ms，4096次循環（工業）
–16ms，4096次循環刷新（自動）
?LVTTL兼容的輸入和輸出
?單個3.3V±0.3V電源
?AEC-Q100
?PPAP提交
?8D響應時間
選項標記
?配置
-32兆歐x4（8兆歐x4×4組）132m4
-16兆歐×8（4兆歐×8×4組）16M8
–8兆歐x16（2兆歐x16×4組）8M16
?寫恢復（tWR）
選項標記
–tWR=2 CLK A2
?塑料包裝——OCPL2
–54針TSOP II（400密耳）TG
–54針TSOP II（400密耳）無鉛P
–60球FBGA（8mm x 16mm）FB1
–60球FBGA（8mm x 16mm）無鉛BB1
–54球VFBGA（僅x16）（8mm x
8毫米）
F4
–54球VFBGA（僅x16）（8mm x
8mm）無鉛
B4
?定時–循環時間
-7.5ns@CL=3（PC133）-753
-7.5ns@CL=2（PC133）-7E
-6.0ns@CL=3（僅x16）-6A
?自我刷新
–標準無
–低功耗L3
?修訂版：G/：L
?工作溫度范圍
–工業（–40?C至+85?C）美國在臺試驗
–汽車（–40?C至+105?C）AAT1

描述

    128Mb的sdram是一個高速CMOS，動態隨機存取存儲器，包含134,217,728位。它在內部配置為一個具有同步接口的四分組DRAM(所有信號都注冊在時鐘信號的正邊緣，CLK)。x4的33,554,432位的銀行中的每一個都被組織為4096行，每2048列，每4位。x8的33,554,432位的銀行被組織為4096行1024行8位。x16的33,554,432位銀行中的每一個都被組織為4096行，512列，16位。

   對sdram的讀寫訪問是面向突發的；訪問從選定的位置開始，并在編程序列中繼續進行編程數量的位置。訪問從注冊活動命令開始，然后是讀或寫命令。與活動命令一致注冊的地址位用于選擇要訪問的行和行（BA[1：0]選擇行；A[11：0]選擇行）。與READ或寫命令一致的地址位用于選擇突發訪問的起始列位置。

    sdram提供了可編程的讀或寫突發長度(BL)為1個、2個、4個或8個位置，或整個頁，帶有一個突發終止選項。可以啟用自動預充電功能，以提供在突發序列結束時啟動的自定時行預充電。

   這個128mb的sdram使用了一個內部流水線架構來實現高速操作。該體系結構與預取體系結構的2n規則兼容，但它也允許在每個時鐘周期中更改列地址，以實現高速、完全隨機的訪問。在訪問其他三家銀行中的一家銀行時進行預收費，將隱藏預收費周期，并提供無縫、高速、隨機接入操作。

   128Mb的sdram被設計為在3.3V內存系統中運行。它提供了一種自動刷新模式，以及一種節電、斷電模式。所有的輸入和輸出都是與LVTTL兼容的。

   這些設備提供了DRAM操作性能方面的實質性進展，包括以高數據速率同步突發數據的能力，在內部銀行之間交錯隱藏預充電時間的能力，以及在突發訪問期間在每個時鐘周期上隨機改變列地址的能力。

汽車溫度

汽車溫度（AAT）選項符合以下規格：
?85°C以上需要16ms自動刷新率
?85°C以上不支持自刷新

?環境溫度和外殼溫度不得低于-40°C或高于+105°C