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    晶圓減薄 晶圓拋光 晶圓背拋 Wafer Grinding
    發布者：haoweijingmi  發布時間：2021-07-27 09:16:24  訪問次數：482

    晶圓減薄作用:

    1.通過減薄/研磨的方式對晶片襯底進行減薄，改善芯片散熱效果。

    2.減薄到一定厚度有利于后期封裝工藝。

    常規工藝:

    減薄/拋光到80-100um

    粗糙度: 5-20nm

    平整度: ±3um

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