河北某大學實驗室在研究 IGZO 薄膜的特性試驗中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 作為濺射源, 濺射沉積半導體 IGZO 薄膜.
伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:
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型號 |
RFICP140 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>600 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
14 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
24.6 cm |
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直徑 |
24.6 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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試驗采用射頻（RF）磁控濺射沉積方法, 在室溫不同壓強下在石英玻璃襯底上制備出高透光率與較好電學性質的透明氧化物半導體 InGaZnO4（IGZO）薄膜, 并對薄膜進行X線衍射（XRD）、生長速率、電阻率和透光率的測試與表征.
結果表明:
實驗所獲樣品 IGZO 薄膜為非晶態, 薄膜最小電阻率為1.3×10^-3Ω·cm, 根據光學性能測試結果, IGZO 薄膜在 200～350nm 的紫外光區有較強吸收, 在 400～900nm 的可見光波段的透過率為75％～97％.
相比傳統的有以下優點：
更小的晶體尺寸, 設備更輕薄；全透明, 對可見光不敏gan, 能夠大大增加元件的開口率, 提高亮度, 降低功耗的電子遷移率大約為, 比傳統材料進步非常明顯, 面板比傳統面板各方面都有提升.
KRI 離子源的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
KRI 離子源是領域公認的, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應用于許多已成為行業標準的過程中.
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