因此某光學薄膜制造商采用20cm 的濺射源為 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 輔助濺射制備 LaF3 薄膜.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
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離子源型號 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
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運行結果:
1. 采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 鍍制的 LaF3 薄膜折射率更高, 且不存在折射率的梯度分布
2. 制備的 LaF3薄膜的環境穩定性更高
3. 離子源濺射制備的減反膜透過率為99.2%, 反射率為 0.1%, 表現了較好的光學特性
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