安徽某晶體廠商采用 hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 刻蝕濾波器鉭酸鋰晶片, 采用間歇式離子束刻蝕方法,解決了刻蝕區(qū)微裂紋工藝問題, 使厚度為60μm鉭酸鋰晶片減薄至30μm.
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 技術(shù)參數(shù):
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Φ4 inch X 12片 |
基片尺寸 |
Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
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均勻性 |
±5% |
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硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
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樣品臺(tái) |
直接冷卻,水冷 |
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離子源 |
Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
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離子源型號(hào) |
RFICP 220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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中和器 |
LFN 2000 |
晶體濾波器的用途越來越廣泛, 尤其在通信機(jī)和雷達(dá)設(shè)備中, 都需要高頻率、大帶寬的晶體濾波器. 目前,晶體濾波器使用的主要材料是石英晶體, 由于其具有高品質(zhì)因數(shù)(Q)值、良好的溫度穩(wěn)定性和時(shí)間穩(wěn)定性, 在精度要求很高的窄帶濾波器中具有很大的優(yōu)越性.
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