南京某材料科學(xué)學(xué)院結(jié)合 SiO2 納米球掩膜與立柱刻蝕技術(shù)制備了結(jié)構(gòu)呈周期性排列的多晶黑硅, 利用 hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 去除由荷能離子撞擊所帶來的損失層, 優(yōu)化了多晶黑硅結(jié)構(gòu).
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 10IBE 技術(shù)參數(shù):
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基板尺寸 |
< Ф8 X 1wfr |
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樣品臺(tái) |
直接冷卻（水冷）0-90 度旋轉(zhuǎn) |
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離子源 |
16cm 考夫曼離子源 |
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均勻性 |
±5% for 4”Ф |
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硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
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溫度 |
<100 |
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 離子源是配伯東公司代理美國(guó)考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 160
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伯東美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC160 技術(shù)參數(shù)：
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離子源型號(hào) |
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Discharge |
DC 熱離子 |
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離子束流 |
>650 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
16 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
2-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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中和器 |
燈絲 |
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.
采用 Hakuto 離子刻蝕機(jī) 10IBE 可以去除損傷層, 保持原有黑硅結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上使表面結(jié)構(gòu)更加光滑.
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