某半導(dǎo)體公司為了去除晶圓反應(yīng)表面產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物, 進(jìn)而提高反應(yīng)效率, 同時提高晶圓的均勻度, 采用 Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 用于半導(dǎo)體晶圓刻蝕.
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 產(chǎn)品圖如上圖, 其主要構(gòu)件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 技術(shù)參數(shù)如下:
|
Ф4 inch X 6片 |
基板尺寸 |
< Ф3 inch X 8片 |
|
樣品臺 |
樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉(zhuǎn) |
|
|
離子源 |
20cm 考夫曼離子源 |
|
|
均勻性 |
±5% for 8”Ф |
|
|
硅片刻蝕率 |
20 nm/min |
|
|
溫度 |
<100 |
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
|
離子源型號 |
RFICP 220 |
|
Discharge |
RFICP 射頻 |
|
離子束流 |
>800 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
20 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
30 cm |
|
直徑 |
41 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C 的樣品臺可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實現(xiàn)晶圓反應(yīng)面均勻地接受離子的轟擊, 進(jìn)而實現(xiàn)提高晶圓的加工質(zhì)量.
運用結(jié)果：
1. 有效去除晶圓反應(yīng)表面產(chǎn)生的反應(yīng)產(chǎn)物, 進(jìn)而提高反應(yīng)效率
2. 晶圓的均勻度得到良好提高
3. 晶圓的加工質(zhì)量得到明顯提高
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
上海伯東 : 羅先生 臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究！